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富士通FRAM - 簡介
  FRAM(鐵電存儲器)具有像E2PROM一樣的非易失性的優勢 ,在沒有電源的情況下可以保存數據,用于數據存儲。FRAM具有兩個產品系列,串行接口(I2C,SPI)和并行接口產品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行閃存來代替,而采用并行I/F的產品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)來代替。
  富士通半導體集團控制著FRAM的整個生產程序;在日本的芯片開發和量產及組裝程序。富士通公司保證了FRAM產品的高質量和穩定供應。自從1999年開始,FRAM產品已經連續供應12年以上,并且正在為許多客戶提供所需的高可靠性。
PZT晶體結構和FRAM工作原理
  ● 當加置電場時就會產生極化。(鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動)
  ● 即使在不加置電場的情況下,也能保持電極。
  ● 兩個穩定的狀態以"0"或"1"的形式存儲
存儲器分類中的FRAM
優勢
  與傳統存儲器相比,FRAM具有下列優勢:
  非易失性
  ● 即使沒有上電,也可以保存所存儲的信息。
  ● 與SRAM相比,無需后備電池(環保產品)
  更高速度寫入
  ● 像SRAM一樣,可覆蓋寫入
  ● 不要求改寫命令
  ● 對于擦/寫操作,無等待時間
  ● 寫入循環時間 =讀取循環時間
  ● 寫入時間: E2PROM的1/30,000
  具有更高的讀寫耐久性
  ● 確保最大1012次循環(100萬億循環)/位的耐久力
  ● 耐久性:超過100萬次的 E2PROM
  具有更低的功耗
  ● 不要求采用充電泵電路
  ● 功耗:低于1/400的E2PROM
  表1. FRAM和其它器件間規格差異的比較表
  表1. 與其它存儲器產品相比,FRAM的特性
  FRAM E2PROM Flash SRAM
存儲器類別 非易失性 非易失性 非易失性 非易失性
晶胞結構*1 1T1C/2T2C 2T 1T 6T
數據改寫方法 覆蓋寫入 擦除+寫入 扇面擦除+寫入 覆蓋寫入
寫入循環時間 150ns*2 5ms 10μs 55ns
耐久力 最大 1012(1萬億次循環*3*2 106(100萬次循環) 105(10萬次循環) 無限制
寫入操作電流 5mA(典型值)*2
15mA(最大值)*2
5mA(最大值) 20mA(最大值) 8mA(典型值)
待機電流 5μA(典型值)*2
50μA(最大值)*2
2μA(最大值) 100μA(最大值) 0.7μA(典型值)
3μA(最大值)
富士通FRAM集成型產品
  獨立存儲器(I2C/SPI/并行接口產品)
  富士通半導體提供了獨立的存儲器,它具有FRAM的優勢,包括非易失性、高速讀寫、低功耗和更高的讀寫耐久性。你可以將其用于各種應用,如移動裝置,OA設備,數字電器和銀行終端等。
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