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獨立存儲器(I2C/SPI/并行接口產品)
  FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體提供了采用串行(I2C和SPI)和并行外設的FRAM產品,目前4Kb至4Mb的產品也已量產。
FRAM的優勢
  與SRAM相比
  獨立的FRAM存儲器,因為具有Pseudo-SRAM I/F,因此與SRAM之間具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM,您可以獲得的優勢如下:
  1. 總的成要縮減
  采用SRAM,你需要檢測其電池狀態。但是FRAM卻讓你免去了進行電池檢測的困擾。而且,FRAM不需要電池槽、防倒流二極管和更多的空間,而這些都是SRAM所需的。FRAM的單芯片解決方案可以節省空間和成本。
  ● 維護自由;無需更換電池
  ● 縮小的器件尺寸;可以省去大量的器件
  2. 環保型產品(減少了環境負擔)
  用過的電池成為工業廢料。在生產過程中,與SRAM相比,FRAM能夠降低一半的CO2排放量。FRAM對于環保有益。
  ● 無廢棄電池
  ● 降低工業負荷,實現環保
  與E2PROM/閃存相比
  與傳統的非易失性存儲器,如E2PROM和閃存相比,FRAM具有更快的寫入、更高耐久力和更低功耗等優勢。用FRAM取代E2PROM和閃存還具有更多優勢,具體如下:
  1. 性能提升
  FRAM的高速寫入能夠在電源中斷的瞬間備份數據。不僅如此,與E2PROM和閃存相比,FRAM能夠更頻繁的記錄數據。當寫入數據時,E2PROM和閃存需要高壓,因此,消費的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM,那么電池供電器件中的電池的壽命將更長。
  總之,FRAM具有下列優勢:
  ● 能夠在電源中斷的瞬間備份數據
  ● 能夠進行頻繁的數據記錄
  ● 能夠保證更長的電池壽命
  2. 總的成本縮減
  在為每個產品寫入出廠參數時,與E2PROM 和閃存相比,FRAM可以縮減寫入時間。而且,FRAM可以為您提供一種芯片解決方案,避免采用幾個存儲器來保存數據,而E2PROM卻不能實現。因此,利用FRAM可以降低總成本!
  ● 當寫入出廠參數時,縮短了寫入時間
  ● 減掉了產品上很多的部件
產品列表
  串行閃存
  I2C接口
  與世界標準,I2C BUS完全兼容。利用兩個端口,幾個時鐘(SCL)和串行數據(SDA)控制每個函數。
產口型號 存儲器密度 電源電壓 工作頻率
(最大值)
工作溫度 讀取/寫入
周期
保證數據
保存期限
封裝
MB85RC256V 256Kbit 2.7 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+70℃) SOP-8
MB85RC128
128Kbit 2.7 至 3.6V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RC64
64Kbit 2.7 至 3.6V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RC64V
64Kbit 3.0 至 5.5V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RC16
16Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
SON-8
MB85RC16V
16Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RC04V 4Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
  SPI接口
  在25MHz(最大值)頻率下,實現了最大時鐘性能速度。
產口型號 存儲器密度 電源電壓 工作頻率
(最大值)
工作溫度 讀取/寫入
周期
保證數據
保存期限
封裝
MB85RS2MT 2Mbit 1.8 to 2.7V 25MHz -40 to +85℃ 1013次 (10萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
DIP-8
2.7 to 3.6V 30MHz(*1)
MB85RS1MT 1Mbit 1.8 to 2.7V 25MHz -40 至 +85℃ 1013次 (10萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
2.7 至 3.6V 25MHz(*1)
MB85RS256B
256Kbit 2.7 至 3.6V 25MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RS128B 128Kbit 2.7 至 3.6V 25MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RS64 64Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RS64V 64Kbit 3.0 至 5.5V 20MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
MB85RS16 16Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃) SOP-8
SON-8
  并行存儲器
  可以像SRAM一樣采用并行讀取和寫入。不需要利用任何電池來保存數據。
產口型號 存儲器密度 電源電壓 工作頻率
(最大值)
工作溫度 讀取/寫入
周期
保證數據
保存期限
封裝
MB85R4001A 4Mbit (512Kx8bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100億次) 10年 (+55℃) TSOP-48
MB85R4002A 4Mbit (256Kx16bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100億次) 10年 (+55℃) TSOP-48
MB85R1001A 1Mbit (128Kx8bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100億次) 10年 (+55℃) TSOP-48
MB85R1002A 1Mbit (64Kx16bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100億次) 10年 (+55℃) TSOP-48
MB85R256F
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256Kbit 2.7 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100億次) 10年 (+55℃) SOP-28
TSOP-28
FRAM產品陣列
  未來我們還將通過技術來發來提高一些技術規格,如工作電壓和存取速度,并提供多種產品。富士通半導體能夠利用其它公司不能提供的富士通獨有技術,提供廣泛的單獨FRAM產品。
  4Kb至4Mb產品現已投入量產。

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